Entwicklungsingenieur RF Power Amplifier Design

• Hochleistungs-RF-Verstärker für HF- und VHF-Generatoren im Leistungsbereich von 1 kW bis 100 kW entwickeln und optimieren Sie mit Begeisterung. Dabei gestalten Sie Leistungsverstärker-Architekturen auf Basis moderner Halbleitertechnologien wie LDMOS und GaN
• Ausgangsanpassnetzwerke und Matching-Strukturen legen Sie gezielt aus, um Wirkungsgrad und Robustheit zu maximieren. Ihr Gespür für elektromagnetische Zusammenhänge hilft Ihnen, auch bei komplexen Power-Combining-Strukturen optimale Ergebnisse zu erzielen
• Mit Simulationstools wie Keysight ADS und Ansys HFSS analysieren und optimieren Sie RF-Schaltungen und elektromagnetische Strukturen. Load-Pull-, Harmonic-Balance- und EM-Simulationen gehören dabei zu Ihrem täglichen Werkzeugkasten
• Vom Prototyp bis zur Serienreife: Sie bauen RF-Leistungsverstärker auf, nehmen diese in Betrieb und charakterisieren sie mithilfe von Netzwerkanalysatoren, Spektrumanalysatoren und weiteren Messsystemen. Ergänzend entwickeln Sie automatisierte Mess- und Testumgebungen mit Python
• In enger Kollaboration mit den Teams aus PCB-Design, Mechanik, Softwareentwicklung und Fertigung treiben Sie die Industrialisierung neuer Produkte voran. Gleichzeitig stimmen Sie sich mit internationalen Kunden ab und erarbeiten gemeinsam innovative RF-Lösungen
• Die Stelle ist auf 2 Jahre befristet

• Ein abgeschlossenes Studium der Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Physik oder einer vergleichbaren Fachrichtung bildet Ihre fachliche Basis - ob Master oder Promotion, entscheidend sind Ihre Kompetenz und Ihr Potenzial
• Einschlägige Erfahrung in der Entwicklung von RF-Leistungsverstärkern oder leistungsstarken HF-Schaltungen bringen Sie mit. Fundierte Kenntnisse der HF-Schaltungstechnik, elektromagnetischen Feldtheorie sowie im Design von Matching-Netzwerken und Power-Combining-Strukturen zeichnen Sie aus
• Ihre Expertise in Keysight ADS setzen Sie sicher ein, idealerweise ergänzt durch Erfahrung mit Ansys HFSS. Im Umgang mit moderner RF-Messtechnik fühlen Sie sich ebenso zuhause wie in der Programmierung mit Python
• Sehr gute Englischkenntnisse ermöglichen Ihnen den souveränen Austausch in internationalen und interdisziplinären Teams. Ihre strukturierte, analytische Arbeitsweise und Ihre Freude an Kollaboration machen Sie zu einem geschätzten Teammitglied
• Besonders willkommen sind Kenntnisse in Multi-Kilowatt-RF-Systemen, thermischer Auslegung von Hochleistungsverstärkern oder Erfahrung mit Plasma-, Halbleiter- und Industrial-RF-Anwendungen. Auch ein Verständnis von LDMOS- und GaN-Leistungstransistoren sehen wir als wertvolle Bereicherung

• Wertschätzendes Arbeitsumfeld in einem Familienunternehmen, bei dem Vielfalt und Chancengleichheit großgeschrieben werden
• Eigenverantwortlichem und strukturiertem Arbeiten, bei dem Sie Ihre Ideen einbringen, eigenständig Entscheidungen treffen und Prozesse aktiv mitgestalten können
• Umfangreiches Schulungs- und Weiterbildungsangebot, das Ihnen individuelle Entwicklungsmöglichkeiten bietet und Ihre fachlichen sowie persönlichen Fähigkeiten gezielt fördert
• Attraktive Zusatzleistungen für Ihre Gesundheit und Mobilität, darunter Hansefit für Ihre Fitness sowie Business Bike für eine nachhaltige und flexible Fortbewegung
• Respektvolle und wertschätzende Unternehmenskultur, in der Ihr Engagement anerkannt wird und Sie in einem motivierenden Arbeitsumfeld Ihr volles Potenzial entfalten können

Der Standort TRUMPF Hüttinger ist als Hochtechnologieunternehmen ein weltweit führender Hersteller für Gleichstrom-, Mittel-, Hochfrequenz-, und halbleiterbasierte Solid-State-Mikrowellengeneratoren. Wir bringen Strom in die benötigte Frequenz und Leistung. Unsere Technologien verstecken sich in vielen Bereichen des Alltags und begegnen Ihnen öfter als Sie denken: beispielsweise in Smartphones, auf Glasfassaden, in Solar- und PV-Anlagen oder auch in Mikrochips für die Computer- und Kommunikationsbranche.